인덕턴스와 커패시턴스의 특성에 관한 글에서, 직류 회로에서 R-L 회로가 보여주는 응답 특성과
R-C 회로가 보여주는 응답 특성을 잠깐 이야기 했었다.
이러한 회로의 응답 특성을 이해하기 위해서는 시정수에 관한 내용을 먼저 짚고 넘어가야 한다.
시정수
1차 선형 시스템에 스텝 함수 형태의 입력이 들어오면,
와 같은 지수 함수 형태의 응답 특성을 보인다. (여기서, Yn은 정상 상태 값, Y0은 초기 상태 값, 그리고 τ는 시정수이다.)
이러한 1차 선형 시스템의 응답 특성은 시간이 지남에 따라 정상상태에 접근은 하지만 도달하지는 못한다. 그런 이유로, 시스템의 응답 속도를 비교하기 위한 근거로 시정수를 사용한다.
시스템의 응답 속도 비교에 시정수를 사용하는 이유는 시정수가 시스템의 증가율 (또는 감소율)과 관련이 있기 때문이다. 위 그림은 서로 다른 두 지수 함수와 이들의 초기 상태 (t = 0)에서와 접하는 직선 함수를 보여주고 있다. 두 지수 함수가 서로 다른 시스템의 응답 특성이라고 가정해보자. 이들의 초기 상태인 f(0)와 g(0)에서 이들과 접하는 직선 함수의 기울기는 시스템의 초기 변화율이라고 할 수 있다. 만약, 시스템이 초기 변화율을 그대로 유지한 상태로 변화한다면, f(t)는 1초 후에 정상 상태에 도달하고, g(2)는 2초 후에 정상 상태에 도달한다. 시정수는 시스템이 초기 변화율로 응답하였을 때, 정상 상태에 도달하는 시간을 의미하고, 자연 대수 e의 지수 파트 절대값을 1로 만드는 값이며, 시스템의 정상 상태 기준으로 약 63.2%에 도달하는데 소요되는 시간을 의미한다.
R-L 회로의 DC 전원 응답
다음과 같이,
크기가 R인 저항과 L인 인덕터가 직렬로 연결된 회로에 크기가 V[V]인 직류 전압을 인가하였다고 가정하자. 이전 글을 통해서 확인했듯이, 인덕터의 양단에 공급 전압 만큼의 역기전력이 유도되면서 전류의 흐름을 차단하였다가, 서서히 역기전력이 감소하면서 정상상태 (인덕턴스의 성분이 무시되는 상태)에 도달하게 된다.
일단, 위 그림의 회로에 키르히호프의 전압 법칙을 적용하면,
과 같은 관계식을 얻을 수 있다.
관계식의 양변을 적당히 정리해서 위와 같이 변형한 다음 적분해주면,
를 얻을 수 있다. 여기서, 초기 상태 (t = 0)에서 전류 값은 0이므로,
가 된다. 이것을 다시 이전의 식에 대입한 다음,
다음과 같이 식을 정리해준다.
자연로그의 특성에 따라,
이므로,
와 같이 양변을 적당히 정리하면, 전류의 관계식을 유도할 수 있다. 앞에서 이야기한대로, 자연대수 e의 지수 파트의 절대값을 1로 만들어주는 것이 시정수이므로, RL 회로에서 시정수 τ는
임을 알 수 있다.
지금까지의 내용을 지난 글에서 실행한 시뮬레이션 결과와 비교해보면,
인덕턴스의 크기가 0.1[H]이고, 저항의 크기가 5[Ω]이므로, 이 회로의 시정수 τ는 0.02[sec]가 된다.
그리고, 시뮬레이션의 결과에서도 시정수인 20[ms]의 위치에서 정상상태 (1[A]) 대비 63% 수준의 전류가 흐른다는 것을 확인할 수 있다.
R-C 회로의 DC 전원 응답
이번에는 R-C 회로에 대한 과도 응답을 알아보자.
크기가 R인 저항과 C인 커패시터가 직렬로 연결된 회로에 크기가 V[V]인 직류 전압을 인가하였다고 가정하자. 이전 글을 통해서 확인했듯이, 커패시터 양단의 전위차가 0[V]인 상태에서 전압을 인가하면, 서서히 커패시터 양단에 전위차가 생겨나면서 정상상태 (커패시터가 마치 스위치를 차단한 것과 같은 상태)에 도달하게 된다.
위 회로에 키르히호프의 전압 법칙을 적용하면,
의 관계식을 얻을 수 있다. 여기서, 양변을 미분해주면,
와 같이 식이 변형되고, 다음과 같이 양변을 적당히 정리해준다.
이렇게 정리된 식을
와 같이 적분해주고, 그 결과를
와 같이 정리할 수 있다. 초기 상태 (t = 0)에서는 커패시터에 축적된 전하가 없으므로 회로에 흐르는 전류의 크기는
저항과 회로에 걸리는 전압에 대한 옴의 법칙 결과와 같다. 따라서,
으로 정리되고,
이 된다. 결국 전류에 대한 관계식은
로 정리되고, 자연대수 e의 지수 파트의 절대값을 1로 만들어주는 시정수 τ는
이 된다.
지금까지의 내용을 지난 글에서 실행한 시뮬레이션 결과와 비교해보면,
커패시턴스의 크기가 5[mF]이고, 저항의 크기가 5[Ω]이므로, 이 회로의 시정수 τ는 0.025[sec]가 된다.
그리고, 시뮬레이션의 결과에서도 시정수인 25[ms]의 위치에서 전압, 전류 모두 정상상태 대비 63% 수준에 도달하는 것을 확인할 수 있다.
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